Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | IV1D12010O2 |
|---|---|
| Классификация： | Одиночные диоды |
| Производитель： | Inventchip Technology |
| Описание ： | DIODE SIL CARB |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Трубка |
| Количество ： | 13190 |
| Состояние RoHS： | 1 |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$10.9282
$10.9282
10
$9.3627
$93.6270
100
$7.8073
$780.7300
500
$6.8882
$3,444.1000
1000
$6.2014
$6,201.4000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Inventchip Technology |
| Ряд | - |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | TO-220-2 |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 0 ns |
| Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Емкость @ Вр, Ф | 575pF @ 1V, 1MHz |
| Ток – средний выпрямленный (Io) | 28A |
| Пакет устройств поставщика | TO-220-2 |
| Рабочая температура - соединение | -55°C ~ 175°C |
| Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | 1200 V |
| Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | 1.8 V @ 10 A |
| Ток – обратная утечка @ Vr | 50 µA @ 1200 V |
