Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | IPP70N12S311AKSA2 |
|---|---|
| Классификация： | Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы |
| Производитель： | IR (Infineon Technologies) |
| Описание ： | MOSFET_(120V 30 |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Трубка |
| Количество ： | 13000 |
| Состояние RoHS： | 1 |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
500
$1.7170
$858.5000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | - |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | TO-220-3 |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 70A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 11.6mOhm @ 70A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 125W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4V @ 83µA |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO220-3-1 |
| Оценка | Automotive |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 120 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 4355 pF @ 25 V |
| Квалификация | AEC-Q101 |
