Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IGN1011L70
  • image of РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IGN1011L70
Тип  IGN1011L70
Классификация РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель Integra Technologies
Описание  RF MOSFET GAN H
Упаковка -
Упаковка Масса
Количество  13011
Состояние RoHS 1
Параметры продукции 
Цены : $214.3826
Параметры продукции : 13011
Всего 

Количество 

Цены 

Цены

1

$214.3826

$214.3826

15

$205.3229

$3,079.8435

image of РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы>13918144
13918144
Тип 
13918144
Классификация
РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель
Integra Technologies
Описание 
RF MOSFET GAN H
Упаковка
-
Упаковка
Масса
Количество 
6511
lang_roHSStatusStatus
1
Параметры продукции
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительIntegra Technologies
Ряд-
УпаковкаМасса
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсPL32A2
Тип монтажаChassis Mount
Частота1.03GHz ~ 1.09GHz
Выходная мощность80W
Прирост22dB
ТехнологииGaN HEMT
Пакет устройств поставщикаPL32A2
Напряжение - номинальное120 V
Напряжение - Тест50 V
Текущий — Тест22 mA
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0