Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IGN1011L1200
  • image of РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IGN1011L1200
Тип  IGN1011L1200
Классификация РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель Integra Technologies
Описание  RF MOSFET HEMT
Упаковка -
Упаковка Поднос
Количество  13000
Состояние RoHS 1
Параметры продукции 
Цены : $801.9703
Параметры продукции : 13000
Всего 

Количество 

Цены 

Цены

1

$801.9703

$801.9703

10

$789.5372

$7,895.3720

image of РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы>10658531
10658531
Тип 
10658531
Классификация
РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель
Integra Technologies
Описание 
RF MOSFET HEMT
Упаковка
-
Упаковка
Поднос
Количество 
6500
lang_roHSStatusStatus
1
Параметры продукции
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительIntegra Technologies
Ряд-
УпаковкаПоднос
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсPL84A1
Частота1.03GHz ~ 1.09GHz
Выходная мощность1250W
Прирост16.8dB
ТехнологииHEMT
Пакет устройств поставщикаPL84A1
Напряжение - номинальное180 V
Напряжение - Тест50 V
Текущий — Тест160 mA
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0