Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | ICE60N199 |
|---|---|
| Классификация： | Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы |
| Производитель： | IceMOS Technology |
| Описание ： | Superjunction M |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Трубка |
| Количество ： | 13100 |
| Состояние RoHS： | |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
50
$2.5351
$126.7550
1000
$2.3735
$2,373.5000
5000
$2.1715
$10,857.5000
15000
$1.9998
$29,997.0000
25000
$1.8584
$46,460.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IceMOS Technology |
| Ряд | - |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | TO-220-3 |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 20A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 199mOhm @ 10A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 180W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 3.9V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | TO-220 |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 600 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1890 pF @ 25 V |
