Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | ICE60N130W |
|---|---|
| Классификация： | Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы |
| Производитель： | IceMOS Technology |
| Описание ： | Superjunction M |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Трубка |
| Количество ： | 13090 |
| Состояние RoHS： | |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
30
$3.7370
$112.1100
150
$3.5047
$525.7050
600
$3.2017
$1,921.0200
2100
$2.9492
$6,193.3200
6000
$2.7371
$16,422.6000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IceMOS Technology |
| Ряд | - |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | TO-247-3 |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 25A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 13A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 208W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | TO-247 |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 600 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 72 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 2730 pF @ 25 V |
