Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | ICE19N60L |
|---|---|
| Классификация： | Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы |
| Производитель： | IceMOS Technology |
| Описание ： | Superjunction M |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Лента и катушка (TR) |
| Количество ： | 19000 |
| Состояние RoHS： | |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
3000
$2.5048
$7,514.4000
9000
$2.3432
$21,088.8000
15000
$2.1412
$32,118.0000
21000
$1.9594
$41,147.4000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IceMOS Technology |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 4-PowerTSFN |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 19A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 220mOhm @ 9.5A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 236W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 3.9V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | 4-DFN (8x8) |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 600 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 59 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 2064 pF @ 25 V |
