Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | GT750P10M |
|---|---|
| Классификация： | Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы |
| Производитель： | Goford Semiconductor |
| Описание ： | MOSFET P-CH 100 |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Лента и катушка (TR) |
| Количество ： | 16200 |
| Состояние RoHS： | 1 |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
800
$0.4444
$355.5200
8000
$0.4343
$3,474.4000
16000
$0.4141
$6,625.6000
32000
$0.3636
$11,635.2000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Goford Semiconductor |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 24A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 20A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 79W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | TO-263 |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 4.5V, 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 100 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1902 pF @ 50 V |
