Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GSFU2016
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>GSFU2016
Тип  GSFU2016
Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель Good Ark Semiconductor
Описание  MOSFET, N-CH, S
Упаковка -
Упаковка Трубка
Количество  13953
Состояние RoHS 1
Параметры продукции 
Цены : $0.9191
Параметры продукции : 13953
Всего 

Количество 

Цены 

Цены

1

$0.9191

$0.9191

10

$0.7979

$7.9790

100

$0.5555

$55.5500

500

$0.4646

$232.3000

1000

$0.3939

$393.9000

2000

$0.3535

$707.0000

5000

$0.3333

$1,666.5000

10000

$0.3030

$3,030.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>21724691
21724691
Тип 
21724691
Классификация
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель
Good Ark Semiconductor
Описание 
MOSFET, N-CH, S
Упаковка
-
Упаковка
Трубка
Количество 
7453
lang_roHSStatusStatus
1
Параметры продукции
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительGood Ark Semiconductor
Ряд-
УпаковкаТрубка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-220-3 Full Pack
Тип монтажаThrough Hole
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C18A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs160mOhm @ 9A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)50W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id3.9V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаTO-220F
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)200 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs41 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1108 pF @ 25 V
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0