Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | GPI65007DF56 |
|---|---|
| Классификация： | Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы |
| Производитель： | GaNPower |
| Описание ： | GaNFET N-CH 6 |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Лента и катушка (TR) |
| Количество ： | 13040 |
| Состояние RoHS： | 1 |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$3.5350
$3.5350
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | GaNPower |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 7A |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 1.5V @ 3.5mA |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 6V |
| ВГС (Макс) | +7.5V, -12V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 650 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 2.1 nC @ 6 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 76.1 pF @ 400 V |
