Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | G3K8N15HE |
|---|---|
| Классификация： | Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы |
| Производитель： | Goford Semiconductor |
| Описание ： | MOSFET N-CH ESD |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Лента и катушка (TR) |
| Количество ： | 18000 |
| Состояние RoHS： | 1 |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
2500
$0.1111
$277.7500
15000
$0.1010
$1,515.0000
30000
$0.0909
$2,727.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Goford Semiconductor |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | TO-261-4, TO-261AA |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 2A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 370mOhm @ 2A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.16W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | SOT-223 |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 4.5V, 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 150 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 558 pF @ 75 V |
