Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | G230P06F |
|---|---|
| Классификация： | Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы |
| Производитель： | Goford Semiconductor |
| Описание ： | MOSFET P-CH 60V |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Трубка |
| Количество ： | 17000 |
| Состояние RoHS： | |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1000
$0.3737
$373.7000
5000
$0.3636
$1,818.0000
15000
$0.3434
$5,151.0000
30000
$0.3131
$9,393.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Goford Semiconductor |
| Ряд | - |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | TO-220-3 Full Pack |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 42A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 23mOhm @ -10A,- 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 67.57W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | TO-220F |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 4.5V, 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 60 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 62 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 4669 pF @ -30 V |
