Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | G220P03D32 |
|---|---|
| Классификация： | Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов |
| Производитель： | Goford Semiconductor |
| Описание ： | MOSFET P+P-CH 3 |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Лента и катушка (TR) |
| Количество ： | 17960 |
| Состояние RoHS： | 1 |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$0.5959
$0.5959
10
$0.5151
$5.1510
100
$0.3535
$35.3500
500
$0.2727
$136.3500
1000
$0.2222
$222.2000
2000
$0.2020
$404.0000
5000
$0.1919
$959.5000
10000
$0.1818
$1,818.0000
25000
$0.1717
$4,292.5000
50000
$0.1717
$8,585.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Goford Semiconductor |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 8-PowerVDFN |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Конфигурация | 2 P-Channel |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Мощность - Макс. | 30W (Tc) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30V |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 12A (Tc) |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1305pF @ 15V |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 3A, 10V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | 8-DFN (3.15x3.05) Dual |
