Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | FS50R07N2E4BOSA1 |
|---|---|
| Классификация： | БТИЗ-модули |
| Производитель： | IR (Infineon Technologies) |
| Описание ： | IGBT MODULE 650 |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Поднос |
| Количество ： | 13280 |
| Состояние RoHS： | |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
40
$15.5035
$620.1400
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | EconoPACK™ 2 |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | OBSOLETE |
| Пакет/кейс | Module |
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Вход | Standard |
| Конфигурация | Full Bridge Inverter |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 125°C |
| Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 50A |
| НТЦ-термистор | Yes |
| Пакет устройств поставщика | Module |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 70 A |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 650 V |
| Мощность - Макс. | 190 W |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 1 mA |
| Входная емкость (Cies) при Vce | 3.1 nF @ 25 V |
