Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>EPC7020GC
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>EPC7020GC
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>EPC7020GC
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>EPC7020GC
Тип  EPC7020GC
Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель EPC Space
Описание  GAN FET HEMT 20
Упаковка -
Упаковка Масса
Количество  13000
Состояние RoHS
Параметры продукции 
Цены : $319.9680
Параметры продукции : 13000
Всего 

Количество 

Цены 

Цены

1

$319.9680

$319.9680

10

$299.6872

$2,996.8720

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>17395216
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>17395216
17395216
Тип 
17395216
Классификация
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель
EPC Space
Описание 
GAN FET HEMT 20
Упаковка
-
Упаковка
Масса
Количество 
6500
lang_roHSStatusStatus
Параметры продукции
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительEPC Space
РядeGaN®
УпаковкаМасса
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс5-SMD, No Lead
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C80A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs14.5mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 7mA
Пакет устройств поставщика5-SMD
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)5V
ВГС (Макс)+6V, -4V
Напряжение стока к источнику (Vdss)200 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1313 pF @ 100 V
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0