Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | EPC7018GC |
|---|---|
| Классификация： | Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы |
| Производитель： | EPC Space |
| Описание ： | GAN FET HEMT 10 |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Масса |
| Количество ： | 13008 |
| Состояние RoHS： | |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$319.9680
$319.9680
10
$299.6872
$2,996.8720
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | EPC Space |
| Ряд | eGaN® |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 5-SMD, No Lead |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 80A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 40A, 5V |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 12mA |
| Пакет устройств поставщика | 5-SMD |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 5V |
| ВГС (Макс) | +6V, -4V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 100 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 11.7 nC @ 5 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1240 pF @ 50 V |
