Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | EPC7018DC |
|---|---|
| Классификация： | Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов |
| Производитель： | EPC Space |
| Описание ： | GAN FET HEMT 10 |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Масса |
| Количество ： | 13100 |
| Состояние RoHS： | |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$325.5129
$325.5129
10
$304.8887
$3,048.8870
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | EPC Space |
| Ряд | eGaN® |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 4-SMD, No Lead |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 100V |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 70A (Tc) |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1700pF @ 50V |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 6.5mOhm @ 70A, 5V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 17nC @ 5V |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 5mA |
| Пакет устройств поставщика | 4-SMD |
