Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | EPC2207 |
|---|---|
| Классификация： | Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы |
| Производитель： | EPC |
| Описание ： | TRANS GAN 200V |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Лента и катушка (TR) |
| Количество ： | 42056 |
| Состояние RoHS： | 1 |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$2.4038
$2.4038
10
$1.9998
$19.9980
100
$1.5958
$159.5800
500
$1.3433
$671.6500
1000
$1.1413
$1,141.3000
2500
$1.0807
$2,701.7500
5000
$1.0403
$5,201.5000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | EPC |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | Die |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 14A (Ta) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 14A, 5V |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 2mA |
| Пакет устройств поставщика | Die |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 5V |
| ВГС (Макс) | +6V, -4V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 200 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 5.9 nC @ 5 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 600 pF @ 100 V |
