Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | EPC2020 |
|---|---|
| Классификация： | Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы |
| Производитель： | EPC |
| Описание ： | GANFET N-CH 60V |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Лента и катушка (TR) |
| Количество ： | 14429 |
| Состояние RoHS： | 1 |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$8.3022
$8.3022
10
$7.1205
$71.2050
100
$5.9287
$592.8700
500
$5.2318
$2,615.9000
1000
$4.7066
$4,706.6000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | EPC |
| Ряд | eGaN® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | NOT_FOR_NEW_DESIGNS |
| Пакет/кейс | Die |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 90A (Ta) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 2.2mOhm @ 31A, 5V |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 16mA |
| Пакет устройств поставщика | Die |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 5V |
| ВГС (Макс) | +6V, -4V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 60 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 16 nC @ 5 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1780 pF @ 30 V |
