EPC2014C Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы_Элемент (Гонконг)Технология_Электронные компоненты_Интегрированные схемыIC_Резисторы_Конденсаторы_Децентрализованные устройства_Электронные компоненты Независимые дистрибьюторы

Подробности продукции

Тип ：	EPC2014C
Классификация：	Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель：	EPC
Описание ：	GANFET N-CH 40V
Упаковка：	-
Упаковка：	Лента и катушка (TR)
Количество ：	65011
Состояние RoHS：	1
Параметры продукции

Цены : $0.6666

Параметры продукции : 65011

Всего

Количество

Цены

$1.6160

$1.3231

$13.2310

100

$1.0302

$103.0200

500

$0.8686

$434.3000

1000

$0.7070

$707.0000

2500

$0.6666

$1,666.5000

5000

$0.6363

$3,181.5000

12500

$0.6060

$7,575.0000

5031691

Тип ：

5031691

Классификация：

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

Производитель：

EPC

Описание ：

GANFET N-CH 40V

Упаковка：

Лента и катушка (TR)

Количество ：

58511

lang_roHSStatusStatus：

Параметры продукции

PDF(1)

PDF(2)

ТИП	ОПИСАНИЕ
Производитель	EPC
Ряд	eGaN®
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	ACTIVE
Пакет/кейс	Die
Тип монтажа	Surface Mount
Рабочая Температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Технологии	GaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	10A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs	16mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 2mA
Пакет устройств поставщика	Die
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)	5V
ВГС (Макс)	+6V, -4V
Напряжение стока к источнику (Vdss)	40 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	2.5 nC @ 5 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	300 pF @ 20 V