Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | EPC2007 |
|---|---|
| Классификация： | Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы |
| Производитель： | EPC |
| Описание ： | GANFET N-CH 100 |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Лента и катушка (TR) |
| Количество ： | 13000 |
| Состояние RoHS： | 1 |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1000
$0.9393
$939.3000
2000
$0.8989
$1,797.8000
5000
$0.8585
$4,292.5000
10000
$0.8383
$8,383.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | EPC |
| Ряд | eGaN® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | OBSOLETE |
| Пакет/кейс | Die |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 6A (Ta) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 6A, 5V |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 1.2mA |
| Пакет устройств поставщика | Die |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 5V |
| ВГС (Макс) | +6V, -5V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 100 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 2.8 nC @ 5 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 205 pF @ 50 V |
