Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | DTD543XE3TL |
|---|---|
| Классификация： | Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением |
| Производитель： | ROHM Semiconductor |
| Описание ： | TRANS PREBIAS N |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Лента и катушка (TR) |
| Количество ： | 16000 |
| Состояние RoHS： | |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$0.3939
$0.3939
10
$0.3131
$3.1310
100
$0.1818
$18.1800
500
$0.1717
$85.8500
1000
$0.1212
$121.2000
3000
$0.1111
$333.3000
6000
$0.1010
$606.0000
9000
$0.0909
$818.1000
30000
$0.0909
$2,727.0000
75000
$0.0808
$6,060.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | ROHM Semiconductor |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | SC-75, SOT-416 |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип транзистора | NPN - Pre-Biased + Diode |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 100mA |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 500nA |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 140 @ 100mA, 2V |
| Пакет устройств поставщика | EMT3 |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 500 mA |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 12 V |
| Мощность - Макс. | 150 mW |
| Частота – переход | 260 MHz |
| Резистор — база (R1) | 4.7 kOhms |
| Резистор — база эмиттера (R2) | 10 kOhms |
