Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | DTC123EE3HZGTL |
|---|---|
| Классификация： | Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением |
| Производитель： | ROHM Semiconductor |
| Описание ： | TRANS PREBIAS N |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Лента и катушка (TR) |
| Количество ： | 19000 |
| Состояние RoHS： | |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$0.4040
$0.4040
10
$0.2828
$2.8280
100
$0.1414
$14.1400
500
$0.1212
$60.6000
1000
$0.0909
$90.9000
3000
$0.0707
$212.1000
6000
$0.0707
$424.2000
9000
$0.0606
$545.4000
30000
$0.0606
$1,818.0000
75000
$0.0505
$3,787.5000
150000
$0.0505
$7,575.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | ROHM Semiconductor |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | SC-75, SOT-416 |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип транзистора | NPN - Pre-Biased |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 500nA |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 20 @ 20mA, 5V |
| Пакет устройств поставщика | EMT3 |
| Оценка | Automotive |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 100 mA |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 50 V |
| Мощность - Макс. | 150 mW |
| Частота – переход | 250 MHz |
| Резистор — база (R1) | 2.2 kOhms |
| Резистор — база эмиттера (R2) | 2.2 kOhms |
| Квалификация | AEC-Q101 |
