Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>DTA124XE3TL
  • image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>DTA124XE3TL
Тип  DTA124XE3TL
Классификация Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
Производитель ROHM Semiconductor
Описание  TRANS PREBIAS P
Упаковка -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Количество  15300
Состояние RoHS 1
Параметры продукции 
Цены : $0.3636
Параметры продукции : 15300
Всего 

Количество 

Цены 

Цены

1

$0.3636

$0.3636

10

$0.2525

$2.5250

100

$0.1313

$13.1300

500

$0.1010

$50.5000

1000

$0.0808

$80.8000

3000

$0.0606

$181.8000

6000

$0.0606

$363.6000

9000

$0.0505

$454.5000

30000

$0.0505

$1,515.0000

75000

$0.0404

$3,030.0000

150000

$0.0404

$6,060.0000

image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>18674855
18674855
Тип 
18674855
Классификация
Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
Производитель
ROHM Semiconductor
Описание 
TRANS PREBIAS P
Упаковка
-
Упаковка
Лента и катушка (TR)
Количество 
8800
lang_roHSStatusStatus
1
Параметры продукции
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительROHM Semiconductor
РядDTA143E
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсSC-75, SOT-416
Тип монтажаSurface Mount
Тип транзистораPNP - Pre-Biased
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)500nA (ICBO)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce30 @ 10mA, 5V
Пакет устройств поставщикаEMT3
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)100 mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)50 V
Мощность - Макс.150 mW
Частота – переход250 MHz
Резистор — база (R1)4.7 kOhms
Резистор — база эмиттера (R2)4.7 kOhms
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0