Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | DTA114EE3TL |
|---|---|
| Классификация： | Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением |
| Производитель： | ROHM Semiconductor |
| Описание ： | TRANS PREBIAS P |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Лента и катушка (TR) |
| Количество ： | 15894 |
| Состояние RoHS： | 1 |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$0.3636
$0.3636
10
$0.2525
$2.5250
100
$0.1313
$13.1300
500
$0.1010
$50.5000
1000
$0.0808
$80.8000
3000
$0.0606
$181.8000
6000
$0.0606
$363.6000
9000
$0.0505
$454.5000
30000
$0.0505
$1,515.0000
75000
$0.0404
$3,030.0000
150000
$0.0404
$6,060.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | ROHM Semiconductor |
| Ряд | DTA114E |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | SC-75, SOT-416 |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип транзистора | PNP - Pre-Biased |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 500nA (ICBO) |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 20 @ 20mA, 5V |
| Пакет устройств поставщика | EMT3 |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 100 mA |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 50 V |
| Мощность - Макс. | 150 mW |
| Частота – переход | 250 MHz |
| Резистор — база (R1) | 2.2 kOhms |
| Резистор — база эмиттера (R2) | 2.2 kOhms |
