Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>DMTH4011SPDWQ-13
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>DMTH4011SPDWQ-13
Тип  DMTH4011SPDWQ-13
Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Производитель Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Описание  MOSFET BVDSS: 3
Упаковка -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Количество  13000
Состояние RoHS 1
Параметры продукции 
Цены : $0.6161
Параметры продукции : 13000
Всего 

Количество 

Цены 

Цены

2500

$0.6161

$1,540.2500

5000

$0.5757

$2,878.5000

12500

$0.5555

$6,943.7500

image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>21824026
21824026
Тип 
21824026
Классификация
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Производитель
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Описание 
MOSFET BVDSS: 3
Упаковка
-
Упаковка
Лента и катушка (TR)
Количество 
6500
lang_roHSStatusStatus
1
Параметры продукции
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительZetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-PowerTDFN
Тип монтажаSurface Mount
Конфигурация2 N-Channel
Рабочая Температура-55°C ~ 175°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Мощность - Макс.2.6W (Ta), 37.5W (Tc)
Напряжение стока к источнику (Vdss)40V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C11.1A (Ta), 42A (Tc)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds805pF @ 20V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs15mOhm @ 20A, 10V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id4V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаPowerDI5060-8 (SWP)
ОценкаAutomotive
КвалификацияAEC-Q101
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0