Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DMT35M4LPSW-13
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DMT35M4LPSW-13
Тип  DMT35M4LPSW-13
Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Описание  MOSFET BVDSS: 2
Упаковка -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Количество  13000
Состояние RoHS 1
Параметры продукции 
Цены : $0.2323
Параметры продукции : 13000
Всего 

Количество 

Цены 

Цены

2500

$0.2323

$580.7500

5000

$0.2121

$1,060.5000

12500

$0.2020

$2,525.0000

25000

$0.1919

$4,797.5000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>22158385
22158385
Тип 
22158385
Классификация
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Описание 
MOSFET BVDSS: 2
Упаковка
-
Упаковка
Лента и катушка (TR)
Количество 
6500
lang_roHSStatusStatus
1
Параметры продукции
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительZetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-PowerTDFN
Тип монтажаSurface Mount, Wettable Flank
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C18.9A (Ta), 71.1A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs5.5mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)1.5W (Ta)
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаPowerDI5060-8 (Type UX)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)30 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs16 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1029 pF @ 15 V
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0