Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>DMT10H072LDV-7
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>DMT10H072LDV-7
Тип  DMT10H072LDV-7
Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Производитель Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Описание  MOSFET BVDSS: 6
Упаковка -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Количество  13000
Состояние RoHS 1
Параметры продукции 
Цены : $0.3232
Параметры продукции : 13000
Всего 

Количество 

Цены 

Цены

2000

$0.3232

$646.4000

6000

$0.3030

$1,818.0000

10000

$0.2828

$2,828.0000

image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>21823698
21823698
Тип 
21823698
Классификация
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Производитель
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Описание 
MOSFET BVDSS: 6
Упаковка
-
Упаковка
Лента и катушка (TR)
Количество 
6500
lang_roHSStatusStatus
1
Параметры продукции
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительZetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-PowerVDFN
Тип монтажаSurface Mount
Конфигурация2 N-Channel
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Мощность - Макс.1W (Ta)
Напряжение стока к источнику (Vdss)100V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C12A (Tc)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds228pF @ 50V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs66mOhm @ 4.5A, 10V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs4.5nC @ 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id3V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаPowerDI3333-8 (Type UXC)
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0