Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>DMN62D2UVTQ-13
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>DMN62D2UVTQ-13
Тип  DMN62D2UVTQ-13
Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Производитель Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Описание  MOSFET BVDSS: 4
Упаковка -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Количество  13000
Состояние RoHS 1
Параметры продукции 
Цены : $0.0909
Параметры продукции : 13000
Всего 

Количество 

Цены 

Цены

10000

$0.0909

$909.0000

30000

$0.0909

$2,727.0000

50000

$0.0808

$4,040.0000

100000

$0.0808

$8,080.0000

image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>21823736
21823736
Тип 
21823736
Классификация
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Производитель
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Описание 
MOSFET BVDSS: 4
Упаковка
-
Упаковка
Лента и катушка (TR)
Количество 
6500
lang_roHSStatusStatus
1
Параметры продукции
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительZetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Тип монтажаSurface Mount
Конфигурация2 N-Channel
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Мощность - Макс.500mW (Ta)
Напряжение стока к источнику (Vdss)60V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C455mA (Ta)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds41pF @ 30V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs2Ohm @ 50mA, 5V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs0.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id1V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаTSOT-26
ОценкаAutomotive
КвалификацияAEC-Q101
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0