Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DMN3066LVT-7
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DMN3066LVT-7
Тип  DMN3066LVT-7
Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Описание  MOSFET BVDSS: 2
Упаковка -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Количество  13000
Состояние RoHS 1
Параметры продукции 
Цены : $0.1111
Параметры продукции : 13000
Всего 

Количество 

Цены 

Цены

3000

$0.1111

$333.3000

6000

$0.1010

$606.0000

15000

$0.1010

$1,515.0000

30000

$0.0909

$2,727.0000

75000

$0.0909

$6,817.5000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>22158397
22158397
Тип 
22158397
Классификация
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Описание 
MOSFET BVDSS: 2
Упаковка
-
Упаковка
Лента и катушка (TR)
Количество 
6500
lang_roHSStatusStatus
1
Параметры продукции
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительZetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C3.6A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs67mOhm @ 2.5A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс.)900mW
Vgs(th) (Макс) @ Id1.5V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаTSOT-26
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)2.5V, 4.5V
ВГС (Макс)±12V
Напряжение стока к источнику (Vdss)30 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs4 nC @ 4.5 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds328 pF @ 10 V
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0