Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | CGD65B200S2-T13 |
|---|---|
| Классификация： | Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы |
| Производитель： | Cambridge GaN Devices |
| Описание ： | 650V GAN HEMT, |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Лента и катушка (TR) |
| Количество ： | 17355 |
| Состояние RoHS： | 1 |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$4.5955
$4.5955
10
$3.8582
$38.5820
100
$3.1209
$312.0900
500
$2.7775
$1,388.7500
1000
$2.3735
$2,373.5000
2000
$2.2321
$4,464.2000
5000
$2.1513
$10,756.5000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Cambridge GaN Devices |
| Ряд | ICeGaN™ |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 8-PowerVDFN |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 8.5A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 600mA, 12V |
| Особенность полевого транзистора | Current Sensing |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4.2V @ 2.75mA |
| Пакет устройств поставщика | 8-DFN (5x6) |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 9V, 20V |
| ВГС (Макс) | +20V, -1V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 650 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 1.4 nC @ 12 V |
