Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | CGD65B130S2-T13 |
|---|---|
| Классификация： | Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы |
| Производитель： | Cambridge GaN Devices |
| Описание ： | 650V GAN HEMT, |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Лента и катушка (TR) |
| Количество ： | 17885 |
| Состояние RoHS： | 1 |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$6.4842
$6.4842
10
$5.4439
$54.4390
100
$4.4036
$440.3600
500
$3.9188
$1,959.4000
1000
$3.3532
$3,353.2000
2000
$3.1613
$6,322.6000
5000
$3.0300
$15,150.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Cambridge GaN Devices |
| Ряд | ICeGaN™ |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 8-PowerVDFN |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 12A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 182mOhm @ 900mA, 12V |
| Особенность полевого транзистора | Current Sensing |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4.2V @ 4.2mA |
| Пакет устройств поставщика | 8-DFN (5x6) |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 9V, 20V |
| ВГС (Макс) | +20V, -1V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 650 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 2.3 nC @ 12 V |
