CDF56G6511N TR13 PBFREE Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы_Элемент (Гонконг)Технология_Электронные компоненты_Интегрированные схемыIC_Резисторы_Конденсаторы_Децентрализованные устройства_Электронные компоненты Независимые дистрибьюторы

Подробности продукции

Тип ：	CDF56G6511N TR13 PBFREE
Классификация：	Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель：	Central Semiconductor
Описание ：	650V, 11A, N-CH
Упаковка：	-
Упаковка：	Лента и катушка (TR)
Количество ：	15461
Состояние RoHS：	1
Параметры продукции

Цены : $2.3028

Параметры продукции : 15461

Всего

Количество

Цены

$4.7268

$3.9693

$39.6930

100

$3.2118

$321.1800

500

$2.8583

$1,429.1500

1000

$2.4442

$2,444.2000

2500

$2.3028

$5,757.0000

21729340

Тип ：

21729340

Классификация：

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

Производитель：

Central Semiconductor

Описание ：

650V, 11A, N-CH

Упаковка：

Лента и катушка (TR)

Количество ：

8961

lang_roHSStatusStatus：

Параметры продукции

PDF(1)

ТИП	ОПИСАНИЕ
Производитель	Central Semiconductor
Ряд	-
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	ACTIVE
Пакет/кейс	8-PowerVDFN
Тип монтажа	Surface Mount, Wettable Flank
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Технологии	GaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	11.5A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs	190mOhm @ 3.9A, 6V
Рассеиваемая мощность (макс.)	1.1W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 12.2mA
Пакет устройств поставщика	8-DFN (5x6)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)	6V
ВГС (Макс)	+7V, -1.4V
Напряжение стока к источнику (Vdss)	650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	2.8 nC @ 6 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	96 pF @ 400 V