Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | BY25Q80BSSIG(R) |
|---|---|
| Классификация： | Память |
| Производитель： | BYTe Semiconductor |
| Описание ： | 8 MBIT, 3.0V (2 |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Лента и катушка (TR) |
| Количество ： | 17000 |
| Состояние RoHS： | 1 |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$0.4747
$0.4747
10
$0.4040
$4.0400
25
$0.3838
$9.5950
100
$0.3030
$30.3000
250
$0.2828
$70.7000
500
$0.2424
$121.2000
1000
$0.1818
$181.8000
2000
$0.1717
$343.4000
6000
$0.1616
$969.6000
10000
$0.1515
$1,515.0000
50000
$0.1313
$6,565.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | BYTe Semiconductor |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Объем памяти | 8Mbit |
| Тип памяти | Non-Volatile |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Напряжение питания | 2.7V ~ 3.6V |
| Технологии | FLASH - NOR (SLC) |
| Тактовая частота | 108 MHz |
| Формат памяти | FLASH |
| Пакет устройств поставщика | 8-SOP |
| Время цикла записи — Word, Page | 50µs, 2.4ms |
| Интерфейс памяти | SPI - Quad I/O, QPI |
| Время доступа | 7 ns |
| Организация памяти | 1M x 8 |
