Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of Память>BY25Q64ESTIG(R)
  • image of Память>BY25Q64ESTIG(R)
Тип  BY25Q64ESTIG(R)
Классификация Память
Производитель BYTe Semiconductor
Описание  64 MBIT, 3.0V (
Упаковка -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Количество  16975
Состояние RoHS 1
Параметры продукции 
Цены : $0.3939
Параметры продукции : 16975
Всего 

Количество 

Цены 

Цены

1

$0.9292

$0.9292

10

$0.8383

$8.3830

25

$0.7878

$19.6950

100

$0.6464

$64.6400

250

$0.6060

$151.5000

500

$0.5353

$267.6500

1000

$0.4242

$424.2000

4000

$0.3939

$1,575.6000

8000

$0.3737

$2,989.6000

12000

$0.3636

$4,363.2000

28000

$0.3535

$9,898.0000

image of Память>22155714
22155714
Тип 
22155714
Классификация
Память
Производитель
BYTe Semiconductor
Описание 
64 MBIT, 3.0V (
Упаковка
-
Упаковка
Лента и катушка (TR)
Количество 
10475
lang_roHSStatusStatus
1
Параметры продукции
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительBYTe Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажаSurface Mount
Объем памяти64Mbit
Тип памятиNon-Volatile
Рабочая Температура-40°C ~ 85°C (TA)
Напряжение питания2.7V ~ 3.6V
ТехнологииFLASH - NOR (SLC)
Тактовая частота120 MHz
Формат памятиFLASH
Пакет устройств поставщика8-SOP
Время цикла записи — Word, Page50µs, 2.4ms
Интерфейс памятиSPI - Quad I/O
Время доступа11.5 ns
Организация памяти8M x 8
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0