Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of Память>BY25Q32ESWIG(R)
  • image of Память>BY25Q32ESWIG(R)
Тип  BY25Q32ESWIG(R)
Классификация Память
Производитель BYTe Semiconductor
Описание  32 MBIT, 3.0V (
Упаковка -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Количество  13000
Состояние RoHS 1
Параметры продукции 
Цены : $0.8181
Параметры продукции : 13000
Всего 

Количество 

Цены 

Цены

1

$0.8181

$0.8181

10

$0.7272

$7.2720

25

$0.6767

$16.9175

100

$0.5555

$55.5500

250

$0.5151

$128.7750

500

$0.4343

$217.1500

1000

$0.3535

$353.5000

3000

$0.3131

$939.3000

6000

$0.2929

$1,757.4000

15000

$0.2828

$4,242.0000

30000

$0.2727

$8,181.0000

image of Память>22155681
22155681
Тип 
22155681
Классификация
Память
Производитель
BYTe Semiconductor
Описание 
32 MBIT, 3.0V (
Упаковка
-
Упаковка
Лента и катушка (TR)
Количество 
6500
lang_roHSStatusStatus
1
Параметры продукции
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительBYTe Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-WDFN Exposed Pad
Тип монтажаSurface Mount
Объем памяти32Mbit
Тип памятиNon-Volatile
Рабочая Температура-40°C ~ 85°C (TA)
Напряжение питания2.7V ~ 3.6V
ТехнологииFLASH - NOR (SLC)
Тактовая частота120 MHz
Формат памятиFLASH
Пакет устройств поставщика8-WSON (5x6)
Время цикла записи — Word, Page50µs, 2.4ms
Интерфейс памятиSPI - Quad I/O
Время доступа11.5 ns
Организация памяти4M x 8
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0