Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | BY25Q128ASWIG(R) |
|---|---|
| Классификация： | Память |
| Производитель： | BYTe Semiconductor |
| Описание ： | 128 MBIT, 3.0V |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Лента и катушка (TR) |
| Количество ： | 13000 |
| Состояние RoHS： | 1 |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
3000
$0.8383
$2,514.9000
6000
$0.8080
$4,848.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | BYTe Semiconductor |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 8-WDFN Exposed Pad |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Объем памяти | 128Mbit |
| Тип памяти | Non-Volatile |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Напряжение питания | 2.7V ~ 3.6V |
| Технологии | FLASH - NOR (SLC) |
| Тактовая частота | 108 MHz |
| Формат памяти | FLASH |
| Пакет устройств поставщика | 8-WSON (5x6) |
| Время цикла записи — Word, Page | 50µs, 2.4ms |
| Интерфейс памяти | SPI - Quad I/O |
| Время доступа | 7 ns |
| Организация памяти | 16M x 8 |
