Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>BSO4804HUMA2
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>BSO4804HUMA2
Тип  BSO4804HUMA2
Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Производитель IR (Infineon Technologies)
Описание  MOSFET 2N-CH 30
Упаковка -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Количество  13000
Состояние RoHS
Параметры продукции 
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>6674115
6674115
Тип 
6674115
Классификация
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Производитель
IR (Infineon Technologies)
Описание 
MOSFET 2N-CH 30
Упаковка
-
Упаковка
Лента и катушка (TR)
Количество 
6500
lang_roHSStatusStatus
Параметры продукции
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительIR (Infineon Technologies)
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаOBSOLETE
Пакет/кейс8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажаSurface Mount
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Мощность - Макс.2W
Напряжение стока к источнику (Vdss)30V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C8A (Ta)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds870pF @ 25V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs20mOhm @ 8A, 10V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs17nC @ 5V
Особенность полевого транзистораLogic Level Gate
Vgs(th) (Макс) @ Id2V @ 30µA
Пакет устройств поставщикаPG-DSO-8
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0