Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | AS1M025120P |
|---|---|
| Классификация： | Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы |
| Производитель： | Anbon Semiconductor |
| Описание ： | N-CHANNEL SILIC |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Трубка |
| Количество ： | 13124 |
| Состояние RoHS： | 1 |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$38.4103
$38.4103
10
$34.1380
$341.3800
100
$29.8556
$2,985.5600
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Anbon Semiconductor |
| Ряд | - |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | TO-247-3 |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 90A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 50A, 20V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 463W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4V @ 15mA |
| Пакет устройств поставщика | TO-247-3 |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 20V |
| ВГС (Макс) | +25V, -10V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 1200 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 195 nC @ 20 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 3600 pF @ 1000 V |
