Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>ALD110900APAL
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>ALD110900APAL
Тип  ALD110900APAL
Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Производитель Advanced Linear Devices, Inc.
Описание  MOSFET 2N-CH 10
Упаковка -
Упаковка Трубка
Количество  13000
Состояние RoHS 1
Параметры продукции 
Цены : $6.5549
Параметры продукции : 13000
Всего 

Количество 

Цены 

Цены

1

$8.2012

$8.2012

50

$6.5549

$327.7450

100

$5.8580

$585.8000

500

$5.1712

$2,585.6000

1000

$4.6561

$4,656.1000

2000

$4.3632

$8,726.4000

image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>2414306
2414306
Тип 
2414306
Классификация
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Производитель
Advanced Linear Devices, Inc.
Описание 
MOSFET 2N-CH 10
Упаковка
-
Упаковка
Трубка
Количество 
6500
lang_roHSStatusStatus
1
Параметры продукции
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительAdvanced Linear Devices, Inc.
РядEPAD®, Zero Threshold™
УпаковкаТрубка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажаThrough Hole
Конфигурация2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Рабочая Температура0°C ~ 70°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Мощность - Макс.500mW
Напряжение стока к источнику (Vdss)10.6V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds2.5pF @ 5V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs500Ohm @ 4V
Vgs(th) (Макс) @ Id10mV @ 1µA
Пакет устройств поставщика8-PDIP
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0