Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>ALD1101PAL
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>ALD1101PAL
Тип  ALD1101PAL
Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Производитель Advanced Linear Devices, Inc.
Описание  MOSFET 2N-CH 10
Упаковка -
Упаковка Трубка
Количество  13085
Состояние RoHS 1
Параметры продукции 
Цены : $8.3325
Параметры продукции : 13085
Всего 

Количество 

Цены 

Цены

1

$8.3325

$8.3325

50

$6.6458

$332.2900

100

$5.9489

$594.8900

500

$5.2520

$2,626.0000

1000

$4.7268

$4,726.8000

2000

$4.4238

$8,847.6000

image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>2414278
2414278
Тип 
2414278
Классификация
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Производитель
Advanced Linear Devices, Inc.
Описание 
MOSFET 2N-CH 10
Упаковка
-
Упаковка
Трубка
Количество 
6585
lang_roHSStatusStatus
1
Параметры продукции
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительAdvanced Linear Devices, Inc.
Ряд-
УпаковкаТрубка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажаThrough Hole
Конфигурация2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Рабочая Температура0°C ~ 70°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Мощность - Макс.500mW
Напряжение стока к источнику (Vdss)10.6V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs75Ohm @ 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id1V @ 10µA
Пакет устройств поставщика8-PDIP
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0