Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | A5G21H605W19NR3 |
|---|---|
| Классификация： | РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы |
| Производитель： | NXP Semiconductors |
| Описание ： | RF MOSFET LDMOS |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Лента и катушка (TR) |
| Количество ： | 13000 |
| Состояние RoHS： | |
|
Параметры продукции
|
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | NXP Semiconductors |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | OM-780-4S4S |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Частота | 2.11GHz ~ 2.2GHz |
| Выходная мощность | 85W |
| Прирост | 15.1dB |
| Технологии | GaN |
| Пакет устройств поставщика | OM-780-4S4S |
| Напряжение - номинальное | 125 V |
| Напряжение - Тест | 48 V |
| Текущий — Тест | 300 mA |
