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Element(Hong Kong ) Technology
| modèle： | STB15NM60N |
|---|---|
| Classification des produits： | FET simples, MOSFET |
| Fabricants： | STMicroelectronics |
| type： | MOSFET N-CH 600 |
| encapsulé： | - |
| Emballage： | Bande et bobine (TR) |
| quantité： | 13000 |
| État de RoHS： | 1 |
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|
| TAPER | DESCRIPTION |
| Fabricant | STMicroelectronics |
| Série | MDmesh™ II |
| Emballer | Bande et bobine (TR) |
| État du produit | OBSOLETE |
| Colis/Caisse | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Type de montage | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Type FET | N-Channel |
| Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 14A (Tc) |
| Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 299mOhm @ 7A, 10V |
| Dissipation de puissance (maximum) | 125W (Tc) |
| Vgs(e) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Package d'appareil du fournisseur | D2PAK |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Tension drain-source (Vdss) | 600 V |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 37 nC @ 10 V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1250 pF @ 50 V |
