langue:fr 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| modèle： | SSM6N24TU,LF |
|---|---|
| Classification des produits： | Matrices FET, MOSFET |
| Fabricants： | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| type： | MOSFET 2N-CH 30 |
| encapsulé： | - |
| Emballage： | Bande et bobine (TR) |
| quantité： | 15565 |
| État de RoHS： | 1 |
|
Obtenir des informations sur les offres
|
quantité
prix
Le prix total
1
$0.4343
$0.4343
10
$0.3434
$3.4340
100
$0.2020
$20.2000
500
$0.1919
$95.9500
1000
$0.1313
$131.3000
3000
$0.1212
$363.6000
6000
$0.1111
$666.6000
9000
$0.1010
$909.0000
30000
$0.1010
$3,030.0000
75000
$0.0909
$6,817.5000
| TAPER | DESCRIPTION |
| Fabricant | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Série | U-MOSIII |
| Emballer | Bande et bobine (TR) |
| État du produit | ACTIVE |
| Colis/Caisse | 6-SMD, Flat Leads |
| Type de montage | Surface Mount |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| Température de fonctionnement | 150°C |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Puissance - Max | 500mW (Ta) |
| Tension drain-source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 500mA (Ta) |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 245pF @ 10V |
| Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 145mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Vgs(e) (Max) @ Id | 1.1V @ 100µA |
| Package d'appareil du fournisseur | UF6 |
