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Element(Hong Kong ) Technology
| modèle： | SQJQ900E-T1_GE3 |
|---|---|
| Classification des produits： | Matrices FET, MOSFET |
| Fabricants： | Vishay / Siliconix |
| type： | MOSFET 2N-CH 40 |
| encapsulé： | - |
| Emballage： | Bande et bobine (TR) |
| quantité： | 13000 |
| État de RoHS： | 1 |
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quantité
prix
Le prix total
2000
$1.1716
$2,343.2000
6000
$1.1312
$6,787.2000
| TAPER | DESCRIPTION |
| Fabricant | Vishay / Siliconix |
| Série | TrenchFET® |
| Emballer | Bande et bobine (TR) |
| État du produit | ACTIVE |
| Colis/Caisse | PowerPAK® 8 x 8 Dual |
| Type de montage | Surface Mount |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Puissance - Max | 75W |
| Tension drain-source (Vdss) | 40V |
| Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 100A (Tc) |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5900pF @ 20V |
| Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 20A, 10V |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
| Vgs(e) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Package d'appareil du fournisseur | PowerPAK® 8 x 8 Dual |
| Grade | Automotive |
| Qualification | AEC-Q101 |
