langue:fr 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| modèle： | SQ4937EY-T1_BE3 |
|---|---|
| Classification des produits： | Matrices FET, MOSFET |
| Fabricants： | Vishay / Siliconix |
| type： | MOSFET 2P-CH 30 |
| encapsulé： | - |
| Emballage： | Bande et bobine (TR) |
| quantité： | 14000 |
| État de RoHS： | 1 |
|
Obtenir des informations sur les offres
|
quantité
prix
Le prix total
1
$1.2019
$1.2019
10
$0.9797
$9.7970
100
$0.7676
$76.7600
500
$0.6464
$323.2000
1000
$0.5252
$525.2000
2500
$0.4949
$1,237.2500
5000
$0.4747
$2,373.5000
12500
$0.4545
$5,681.2500
| TAPER | DESCRIPTION |
| Fabricant | Vishay / Siliconix |
| Série | TrenchFET® |
| Emballer | Bande et bobine (TR) |
| État du produit | ACTIVE |
| Colis/Caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Configuration | 2 P-Channel (Dual) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Puissance - Max | 3.3W (Tc) |
| Tension drain-source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 5A (Tc) |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 480pF @ 25V |
| Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 3.9A, 10V |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Vgs(e) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Package d'appareil du fournisseur | 8-SOIC |
| Grade | Automotive |
| Qualification | AEC-Q101 |
