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Element(Hong Kong ) Technology

Produits Détails
  • image of Matrices FET, MOSFET>SQ1563AEH-T1_GE3
  • image of Matrices FET, MOSFET>SQ1563AEH-T1_GE3
modèle SQ1563AEH-T1_GE3
Classification des produits Matrices FET, MOSFET
Fabricants Vishay / Siliconix
type MOSFET N/P-CH 2
encapsulé -
Emballage Bande et bobine (TR)
quantité 16506
État de RoHS
Obtenir des informations sur les offres
prix: $0.5151
Les stocks: 16506
Le nombre total

quantité

prix

Le prix total

1

$0.5151

$0.5151

10

$0.4343

$4.3430

25

$0.4141

$10.3525

100

$0.3232

$32.3200

250

$0.3030

$75.7500

500

$0.2525

$126.2500

1000

$0.2020

$202.0000

3000

$0.1818

$545.4000

6000

$0.1717

$1,030.2000

15000

$0.1616

$2,424.0000

30000

$0.1515

$4,545.0000

image of Matrices FET, MOSFET>7566737
7566737
modèle
7566737
Classification des produits
Matrices FET, MOSFET
Fabricants
Vishay / Siliconix
type
MOSFET N/P-CH 2
encapsulé
-
Emballage
Bande et bobine (TR)
quantité
10006
lang_roHSStatusStatus
Produits Paramètres
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantVishay / Siliconix
SérieTrenchFET®
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/CaissePowerPAK® SC-70-6 Dual
Type de montageSurface Mount
ConfigurationN and P-Channel
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Puissance - Max1.5W
Tension drain-source (Vdss)20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C850mA (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds89pF @ 10V, 84pF @ 10V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs280mOhm @ 850mA, 4.5V, 575mOhm @ 800mA, 4.5V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs1.25nC @ 4.5V, 1.33nC @ 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseurPowerPAK® SC-70-6 Dual
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Horaires de service: du lundi au samedi 9h00-18h00
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+86-15869849588
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