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Element(Hong Kong ) Technology
| modèle： | RN4990(TE85L,F) |
|---|---|
| Classification des produits： | Réseaux de transistors bipolaires, pré-polarisés |
| Fabricants： | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| type： | NPN + PNP BRT Q |
| encapsulé： | - |
| Emballage： | Bande et bobine (TR) |
| quantité： | 13090 |
| État de RoHS： | |
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quantité
prix
Le prix total
1
$0.3333
$0.3333
10
$0.2323
$2.3230
100
$0.1212
$12.1200
500
$0.0909
$45.4500
1000
$0.0707
$70.7000
3000
$0.0606
$181.8000
6000
$0.0606
$363.6000
9000
$0.0505
$454.5000
30000
$0.0505
$1,515.0000
75000
$0.0404
$3,030.0000
150000
$0.0404
$6,060.0000
| TAPER | DESCRIPTION |
| Fabricant | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Série | - |
| Emballer | Bande et bobine (TR) |
| État du produit | ACTIVE |
| Colis/Caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Type de montage | Surface Mount |
| Type de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Puissance - Max | 200mW |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
| Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max) | 50V |
| Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
| Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Fréquence - Transition | 250MHz, 200MHz |
| Résistance - Base (R1) | 4.7kOhms |
| Package d'appareil du fournisseur | US6 |
