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Element(Hong Kong ) Technology

Produits Détails
  • image of Réseaux de transistors bipolaires, pré-polarisés>RN2901,LF(CT
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modèle RN2901,LF(CT
Classification des produits Réseaux de transistors bipolaires, pré-polarisés
Fabricants Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
type PNPX2 BRT Q1BSR
encapsulé -
Emballage Bande et bobine (TR)
quantité 13006
État de RoHS 1
Obtenir des informations sur les offres
prix: $0.0404
Les stocks: 13006
Le nombre total

quantité

prix

Le prix total

1

$0.2626

$0.2626

10

$0.1818

$1.8180

100

$0.0909

$9.0900

500

$0.0707

$35.3500

1000

$0.0505

$50.5000

3000

$0.0404

$121.2000

6000

$0.0404

$242.4000

9000

$0.0303

$272.7000

30000

$0.0303

$909.0000

75000

$0.0303

$2,272.5000

150000

$0.0303

$4,545.0000

image of Réseaux de transistors bipolaires, pré-polarisés>10379877
10379877
modèle
10379877
Classification des produits
Réseaux de transistors bipolaires, pré-polarisés
Fabricants
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
type
PNPX2 BRT Q1BSR
encapsulé
-
Emballage
Bande et bobine (TR)
quantité
6506
lang_roHSStatusStatus
1
Produits Paramètres
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantToshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Série-
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/Caisse6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Type de montageSurface Mount
Type de transistor2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Puissance - Max200mW
Courant - Collecteur (Ic) (Max)100mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)50V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (Max)500nA
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 10mA, 5V
Fréquence - Transition200MHz
Résistance - Base (R1)4.7kOhms
Résistance - Base de l'émetteur (R2)4.7kOhms
Package d'appareil du fournisseurUS6
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Horaires de service: du lundi au samedi 9h00-18h00
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+86-15869849588
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