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Element(Hong Kong ) Technology
| modèle： | RN2427TE85LF |
|---|---|
| Classification des produits： | Transistors bipolaires simples pré-polarisés |
| Fabricants： | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| type： | TRANS PREBIAS P |
| encapsulé： | - |
| Emballage： | Bande et bobine (TR) |
| quantité： | 20830 |
| État de RoHS： | 1 |
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quantité
prix
Le prix total
1
$0.4545
$0.4545
10
$0.3232
$3.2320
100
$0.1616
$16.1600
500
$0.1414
$70.7000
1000
$0.1111
$111.1000
3000
$0.1010
$303.0000
6000
$0.1010
$606.0000
9000
$0.0909
$818.1000
30000
$0.0808
$2,424.0000
75000
$0.0707
$5,302.5000
| TAPER | DESCRIPTION |
| Fabricant | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Série | - |
| Emballer | Bande et bobine (TR) |
| État du produit | ACTIVE |
| Colis/Caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Type de montage | Surface Mount |
| Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
| Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 50mA |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 500nA |
| Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 90 @ 100mA, 1V |
| Package d'appareil du fournisseur | S-Mini |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 800 mA |
| Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max) | 50 V |
| Puissance - Max | 200 mW |
| Fréquence - Transition | 200 MHz |
| Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
